2N5551 – Transistor NPN TO-92

Transistor NPN de alto voltaje. IC: 600 mA, PD: 625 mW, VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V, fT: 100 MHz, TO-92

Características

• Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
• Dispositivo diseñado para operar como amplificador y suiche de propósito general
• IC: 600 mA max.
• PD: 625 mW max.
• VCEO: 160 V, VCBO: 180 V, VEBO: 6 V,   max.
• hFE: 80 min. (@ IC=1 mA, VCE=5 V)
• fT: 100 MHz mínimo
• VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 50 mA)
• Encapsulado: TO-92
• Complementarios: 2N5400

Más información

• Hoja de datos (Datasheet)