BSS138 – Transistor SMD MOSFET Canal N

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SKU: ICT0005 Categoría: Etiqueta:
2B-4

Transistor Mosfet Canal N. Encapsulado SOT-23

  • N-Channel
  • Vds – Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 50 V
  • Id – Corriente de drenaje continua: 220 mA
  • Rds On – Resistencia entre drenaje y fuente: 3.5 Ohms
  • Vgs – Tensión entre puerta y fuente: 20 V
  • Temperatura de trabajo mínima: – 55 C
  • Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
  • Configuración: Single

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